| 品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 进口 |
|---|---|---|---|
| 空间分辨率 | 横向 XY：MIN 200nm（随探测距离变化）；深度 Z：MIN 1μm | 成像视场 | 单次MAX 4mm×4mm，支持多图拼接扩展 |
| 磁场探测性能 | DC 噪声基底 150nT；DC 灵敏度 10 μT/√Hz；AC 路线图 10nT 噪声、1nT/√Hz 灵敏度 | 频率范围 | DC～4GHz AC |
| 标准测量时长 | 5–10 分钟 | 机械载台 | XYZ 行程 300×300×20mm |
| 整机物理参数 | 尺寸 0.7m×0.7m×1.7m，重量≈350kg，风冷散热，峰值功耗 2kW | 使用环境 | 室温常压，温度 15–40℃，配套减震光学平台 |
昊量光电/星朗浩宇超分辨率量子显微镜
不需要真空、不需要低温，常温常压工作；磁场可穿透硅基板、塑封、金属薄层，实现芯片内部埋藏线路无损检测
昊量光电推出Quantum Diamonds GmbH商用化 NV 金刚石量子磁场成像设备厂商，聚焦半导体封装失效分析的昊量光电/星朗浩宇超分辨率量子显微镜。利用金刚石内部氮 - 空位色心（NV Center）固态量子自旋作为纳米磁场传感器，实现宽视场、非破坏、穿透式电流 / 磁场成像。依托金刚石氮 - 空位（NV）量子色心磁场探测，主打异构集成、3D 封装芯片无损失效分析
该产品核心的工作原理：MCI 磁电流成像 + NV 量子金刚石传感
底层量子传感基础：设备核心传感器为人工合成金刚石内部的氮 - 空位（NV）原子缺陷，NV 色心具备室温稳定量子自旋特性，对微弱磁场高度敏感，依靠光学检测磁共振（ODMR） 将芯片电流产生的磁场转化为光学荧光信号，实现磁场定量成像。
MCI 多层磁电流成像流程：
1.全域磁场采集：一次性捕获多层堆叠芯片同时通电产生的叠加总磁场图谱；
2.分层磁场剥离：搭载自研机器学习算法，从混合总磁场中分离出每一层金属布线对应的独立磁场分布；
3.电流密度重建：反演计算每层布线真实电流分布，输出彩色云图电流成像，直观定位短路、开路、漏电缺陷。
该产品核心的技术优势：
磁场无遮挡穿透：磁场可无损穿透 cmos 硅、金属、封装树脂等所有半导体材料，无需研磨、切片、逐层剥层；
纯室温常压工作：无需低温制冷、真空腔体，常规实验室环境即可稳定运行；
电性缺陷可视化：X 射线 CT 仅能看物理结构、热成像 LIT 仅捕捉发热点，本设备直接成像电流路径，可检出无发热的隐性开路、微短路、高阻漏电。
产品核心功能与特点：
多层堆叠芯片 3D 失效精密定位
极低样品制备门槛
AI 驱动一体化分析软件
宽频、高灵敏度磁场探测
高稳定工业级整机设计
行业应用场景：
2.5D/3D 封装、芯粒（Chiplet）失效分析：针对 HBM、CoWoS、中介层、混合键合堆叠芯片，解决垂直互连、层间短路、通孔开路等传统设备无法分层定位的缺陷；客户实测可将原本数周的故障排查缩短至十几分钟，中国台湾头部晶圆厂评价其可实现完整堆叠结构无损高精度缺陷检测。
背面供电（Backside Power Delivery）芯片检测：双面金属化芯片上下层布线互相遮挡，热成像、光学检测无法穿透背面金属层；本设备依靠磁场穿透特性，无损检测双面供电网络完整性，定位背面金属布线漏电、断路。
宽禁带功率半导体（GaN、SiC）：新能源、快充、车载功率器件普遍采用硅 + 宽禁带堆叠结构，高频大功率工况下易产生新型层间失效；QD m.0 可精密映射功率回路电流分布，定位功率器件微短路、导通异常。
新材料科学表征：用于二维材料、固态电解质等新型材料电学特性表征，通过磁场反演电流密度分布，微米级成像材料内部导电缺陷，支撑新材料研发。
超分辨率量子显微的参数：
| 空间分辨率 | 横向 XY：MIN 200nm（随探测距离变化）；深度 Z：MIN 1μm |
| 成像视场 | 单次MAX 4mm×4mm，支持多图拼接扩展 |
| 磁场探测性能 | DC 噪声基底 150nT；DC 灵敏度 10 µT/√Hz；AC 路线图 10nT 噪声、1nT/√Hz 灵敏度 |
| 频率范围 | DC～4GHz AC |
| 标准测量时长 | 5–10 分钟 |
| 机械载台 | XYZ 行程 300×300×20mm |
| 整机物理参数 | 尺寸 0.7m×0.7m×1.7m，重量≈350kg，风冷散热，峰值功耗 2kW |
| 使用环境 | 室温常压，温度 15–40℃，配套减震光学平台 |
上海市徐汇区虹梅路2007号6号楼3楼
info@auniontech.com
