| 品牌 | 昊量光电 | 屏蔽材料 | 高导磁材料 |
|---|---|---|---|
| 适用环境 | 弱磁测试、校准和实验 | 内磁场 | ＜5 μT / ＜1 μT / ＜0.1 μT |
| 剩磁指标 | 1 nT / 2 nT | 衰减 | ＞80 dB / ＞90 dB |
| 频率范围 | DC～10 kHz | 内孔尺寸 | Φ8 mm至Φ200 mm可选 |
| 工作温度 | -20℃～70℃ |
昊量光电/星朗浩宇磁学测量磁屏蔽桶腔
昊量光电/星朗浩宇磁学测量磁屏蔽桶腔产品简介
磁屏蔽桶腔是一种用于降低外部磁场干扰的屏蔽装置，采用高导磁材料加工而成，可在内部形成相对稳定、低干扰的磁环境。产品适用于磁强计、磁传感器、磁通门探头、弱磁测试设备等仪器的校准、测试和实验使用。
该系列磁屏蔽桶腔可减少环境磁场、杂散磁场及外部电磁干扰对测量结果的影响，帮助用户获得更稳定、更可靠的磁场测试数据。产品具有结构紧凑、使用方便、屏蔽效果稳定、适配多种测试场景等特点。
磁屏蔽腔磁屏蔽桶产品特点
高导磁材料结构
磁屏蔽桶腔采用高导磁材料制成，可有效吸收和引导外部磁场，降低环境磁场对内部测试区域的影响。适用于弱磁测试环境
适合磁强计、磁通门探头、霍尔传感器、磁场计等设备的弱磁场测试、校准和验证。降低外界磁场干扰
磁屏蔽桶腔可减小地磁场、设备杂散磁场、实验室环境磁场等因素对测试结果的干扰。多规格可选
可根据不同测试探头、传感器尺寸和样品尺寸选择不同内孔尺寸、长度和屏蔽性能规格。支持非标定制
磁屏蔽桶腔可根据客户需求定制内孔尺寸、外形尺寸、屏蔽层数、屏蔽深度及安装结构。操作方便，适合实验室和产线使用
产品结构简单，便于放置探头、样品或测试设备，适合科研实验、仪器校准、生产检测等场景。
磁屏蔽腔磁屏蔽桶应用领域：
磁屏蔽桶腔主要用于需要降低外界磁场影响的测试、校准和实验环境，可广泛应用于以下场景：
磁强计、磁通门传感器、磁场计校准
弱磁场测试和微弱磁信号测量
磁传感器性能测试
磁屏蔽实验和磁场环境模拟
电子元器件、传感器、探头的磁环境测试
科研院所、高校实验室、计量检测单位
仪器仪表生产检测及出厂校准
对磁场干扰敏感的测试系统屏蔽保护
磁屏蔽腔磁屏蔽桶技术参数：
TM2800 磁屏蔽腔规格
| 型号 | 内磁场 | 内孔直径 | 内孔长度 | 外型尺寸 | 质量 |
| TM2800-5μT | ＜5 μT | Φ8 mm | 40 mm | 60 × 30 × 30 mm | 0.1 kg |
| TM2800-1μT | ＜1 μT | Φ10 mm | 100 mm | 120 × 40 × 40 mm | 0.3 kg |
| TM2800-0.1μT | ＜0.1 μT | Φ20 mm | 200 mm | 230 × 40 × 40 mm | 0.6 kg |
T
M2900磁屏蔽桶规格
| 产品型号 | 剩磁/屏蔽指标 | 衰减 | 频率 | 内孔尺寸 | 外型尺寸 | 工作温度 |
| TM2900-150-1000-2 | 2 nT | ＞90 dB | DC～10 kHz | Φ150 mm × 1000 mm | Φ500 mm × 1000 mm | -20℃～70℃ |
| TM2900-200-1500-1 | 1 nT | ＞80 dB | DC～10 kHz | Φ200 mm × 1500 mm | Φ750 mm × 1500 mm | -20℃～70℃ |
注：以上参数可根据用户测试空间、屏蔽指标、安装方式及使用环境进行定制。
磁屏蔽腔磁屏蔽桶技术参数
选择磁屏蔽桶腔时，建议根据以下因素确定型号：
测试对象尺寸
根据探头、传感器或被测样品的尺寸选择合适的内孔直径和内孔长度。目标磁场环境
如需更低磁场背景，可选择内磁场更低或屏蔽层数更高的磁屏蔽桶腔。屏蔽频率范围
对于直流磁场、低频磁场或宽频范围测试，应根据测试频率选择适合的屏蔽结构。安装和操作方式
小型磁屏蔽桶腔适合便携测试和仪器校准，大型磁屏蔽筒适合实验室固定安装和系统级测试。是否需要定制
如标准规格无法满足测试空间、开孔、支架、台架或接口需求，可提供非标定制方案。
上海市徐汇区虹梅路2007号6号楼3楼
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