| 品牌 | 昊量光电 | 应用领域 | 综合 |
|---|---|---|---|
| 源站类别 | 光电测量设备/光电探测器 | 感光区直径 | 50μm |
| 响应波长 | 900-2600nm | 典型波长 | 1310/1550nm |
| 响应时间 | 100-200ps | 电容 | 0.25-0.4pF |
| 暗电流 | 0.1-1nA |
昊量光电/星朗浩宇高速InGaAs光电探测器FD50系列
fermionics是一家独立的InGaAs光电二极管制造商，用于光通信、测试仪器、传感等应用。在费米公司，我们专注于质量、及时交付和客户设计要求，致力于满足多样化客户群的需求。该公司于1991年在加利福尼亚州成立并注册成立。
昊量光电/星朗浩宇高速InGaAs光电探测器FD50系列Fermionics公司推出的这款该系列产品是一款50µm有源直径InGaAs光电二极管，安装在带球透镜的TO46顶盖中。
可以用于高速模拟和数字通信系统、局域网、FDDI、仪器和传感应用的高速InGaAs光电二极管。所有设备都是fabrica采用平面钝化技术；光敏表面是宽带AR涂层。
Fermionics FD50 系列为 50 μm 有源区 InGaAs PIN 光电二极管，以超低电容（0.25–0.4 pF）、亚纳秒响应（100–200 ps）与低暗电流（0.1–1 nA）为核心，适配 1310/1550 nm 超高速通信与测试，支持 TO / 陶瓷 / 光纤耦合封装，适合 40G/100G/200G ROSA 与高速仪器接收端。
（FD50L产品图片）
该系列核心原理与结构：
平面钝化 PIN，宽带增透膜，响应 900–2600 nm，典型 1310/1550 nm。
反向偏置耗尽层吸收光子，低电容支撑 GHz 级带宽与亚纳秒上升 / 下降。
速度由结电容与负载决定，50 μm 较 80 μm 更小，带宽更高、耦合更精准。
该系列性能优势：
超高速低噪声：0.25–0.4 pF、100–200 ps，适合 40G/100G/200G 与高速测试。
低回损可选：尾纤端面斜切（如 8°），回损≥40 dB，减少系统反射噪声。
灵活集成：TO、陶瓷衬底、表面贴装、尾纤 / 连接器，适配原型到量产。
工业可靠：-40 至 + 85 °C，高稳定性，适合户外与数据中心。
该系列应用场景：
超高速光通信：40G/100G/200G ROSA、相干接收、数据中心 DCI，1310/1550 nm 链路。
高速测试仪器：误码仪、光示波器、采样示波器、矢量网络分析仪，低噪声与亚纳秒响应。
微波光子学：光生微波、光电混频、ROF 系统，低电容与高线性。
传感与医疗：近红外光谱、光纤传感、激光雷达，宽波长与低暗电流。
该系列选型建议：
超高速通信：选 FD50S8‑F/F8，尾纤 / 连接器耦合，低回损，适配 ROSA 与相干接收。
测试仪器：FD50W/FD50L，平窗 / 球透镜，易与准直光 / 自由空间系统对接。
高频 PCB：FD50S2/S3，陶瓷衬底，低热阻、低寄生，支持表面贴装。
低回损：指定尾纤端面斜切（如 8°），回损≥40 dB，减少系统抖动与误码。
该系列产品类型：
| FD50W | 50µm有源直径InGaAs光电二极管安装在TO18接口上，配有平坦的AR涂层窗口 |
| FD50L | 50µm有源直径InGaAs光电二极管安装在TO46接口内，带球形透镜 |
| FD50S2 | 50µm有源直径InGaAs光电二极管安装在S2型氧化铝陶瓷底座上 |
| FD50S3 | 50µm有源直径InGaAs光电二极管安装在S3型氧化铝陶瓷底座上 |
| FD50S8-F-（光纤类型/连接器） | 50µm有源直径InGaAs光电二极管水平安装S8陶瓷封装尾尾组件。定制光纤和连接器终端可用。 |
| FD50S8-F8-（光纤类型/连接器） | 50µm有源直径InGaAs光电二极管水平安装S8陶瓷封装尾尾组件。内部纤维端角在8°抛光低背反射。定制单模光纤和连接器终端可用。 |
该系列 芯片系列规格表：
| ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T=25°C) | ||
| PARAMETER | RATING | UNITS |
| Storage Temperature | - 40 to +100 | ℃ |
| Operating Temperature | - 40 to +85 | ℃ |
| Forward Current | 5 | mA |
| Reverse Current | 0.5 | mA |
| Reverse Voltage | 30 | V |
| Optical and Electrical Characteristics (T = 25°C) | |||||
| Parameter | Test Conditions | Min | Typ | Max | Units |
| Responsivity(R) | λ = 1300 nm λ = 1550 nm | 0.80 0.85 | 0.85 0.90 | A/W | |
| dark current(Id) | Vr = 5V | 0.1 | 1 | nA | |
| Rise / Fall Time(Tr / Tf) | Vr = 5V | 100 | 200 | ps | |
| Capacitance(C) | Vr = 5V | 0.25 | 0.4 | pF | |
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