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全自动非接触晶圆电阻率成像系统

简要描述:全自动非接触晶圆电阻率成像系统,专为半导体行业设计,通过非接触式涡流技术与光学传感结合,实现晶圆基板及涂层的全区域表征,核心价值在于保障半导体制造的工艺可靠性与质量管控,广泛适配 Si、SiC、GaN 等主流及宽禁带半导体材料,是兼顾高采样率、高精度与空间优化的一体化检测解决方案。

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  • 更新时间:2026-04-07
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品牌昊量光电产地类别国产
应用领域综合

全自动非接触晶圆电阻率成像系统


昊量光电代理的德国 Suragus 公司研发的全自动晶圆成像设备,专为半导体行业设计,通过非接触式涡流技术与光学传感结合,实现晶圆基板及涂层的全区域表征,核心价值在于保障半导体制造的工艺可靠性与质量管控,广泛适配 Si、SiC、GaN 等主流及宽禁带半导体材料,是兼顾高采样率、高精度与空间优化的一体化检测解决方案。


一、全自动非接触晶圆电阻率成像系统核心的技术与测量的能力

设备以双非接触式涡流传感器(透射模式) 为核心,搭配光学传感模块,可同步完成电性能与物理形态的多参数测量,覆盖半导体制造关键检测需求:



1. 电性能参数

  • 电阻率:测量范围 0.1–100 mOhm・cm,精度 1–5%(低阻值区间精度更高),适配低阻半导体材料检测;

  • 薄层电阻:覆盖 0.0001–100,000 Ohm/sq(部分版本可扩展至 200,000 Ohm/sq),支持 6 个数量级测量,满足从金属薄膜到高阻涂层的多样化需求;

  • 金属层厚度:基于薄层电阻推导,范围 2 nm–1 mm,可精准检测铝、铜等金属薄膜及厚膜涂层,适配半导体封装、晶圆 metallization 等工艺。


2. 物理形态参数

  • 总厚度变化(TTV):300–1,000 μm,通过光学传感器捕捉晶圆厚度均匀性,排查基板制造缺陷;

  • 翘曲(Bow/Warpage):±1 mm,检测晶圆弯曲程度,避免后续光刻、键合工艺中的对准偏差;

  • 缺陷识别:可捕捉微观裂纹、薄膜厚度不均等问题,替代多台单一功能设备,简化质检流程。


二、全自动 非接触晶圆电阻率成像系统的核心优势

1. 全自动化与高 throughput

  • 配备全自动晶圆盒(Cassette)搬运系统,支持 150 mm(6 英寸)、200 mm(8 英寸)晶圆盒(单盒容量 25 片),2–4 英寸晶圆可通过标准适配器兼容;

  • 检测效率达 60 片 / 小时(约 1,000 片 / 天),单晶圆测量时间 30–90 秒(可根据测量点数调整),适配量产型半导体产线节奏;

  • 全程非接触式操作:仅在晶圆侧面施加微小作用力,避免基板表面划伤、污染,保障晶圆完整性。



2. 高分辨率与全区域表征

  • 支持 22,000–100,000 个测量点的全表面 mapping,可生成电阻率、薄层电阻等参数的高分辨率图像,直观呈现材料均匀性;

  • 配套软件提供直方图、线扫描、3D 视图等分析工具,支持局部区域精准复扫,助力工艺问题定位(如离子注入不均、薄膜沉积异常)。



3. 空间与成本优化

  • 超小占地面积:设备尺寸仅 785 mm×1,170 mm×666 mm(约 0.93 ㎡),可直接放置于洁净室工作台,节省昂贵的洁净室空间;

  • 一体化设计:集成电性能、物理形态检测功能,替代 3–4 台单一设备,降低设备采购、维护及空间占用成本。


4. 宽材料适配性

兼容硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等主流及宽禁带半导体材料,适配功率半导体、射频器件、航天级芯片等应用;

支持透明导电膜(如 ITO)、石墨烯、导电聚合物等新型材料检测,拓展至光伏、柔性电子等领域。



三、全自动 非接触晶圆电阻率成像系统的适用场景

  • 半导体晶圆制造:Si/SiC/GaN 晶圆电阻率、TTV 检测,保障基板质量;

  • 晶圆工艺监控:离子注入后电阻率验证、金属层沉积厚度管控、退火工艺效果评估;

  • 质量 assurance(QA):量产晶圆批次抽检、异常晶圆失效分析,符合 SEMI 行业标准;

  • 材料研发:宽禁带材料(SiC/GaN)、新型导电薄膜的均匀性表征,助力研发迭代。


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