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场效应分子传感器(gFET)

简要描述:场效应分子传感器(gFET),是一款采用专有技术将石墨烯直接沉积在器件衬底上量产的电解质门控场效应晶体管(FET)。由此形成的无聚合物石墨烯通道可在运行时提供均匀电场,从而实现多功能且可重复的分子传感。

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  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2026-04-07
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详细介绍
品牌昊量光电产地类别国产
应用领域综合

场效应分子传感器(gFET)


GFET-PV01是一款采用专有技术将石墨烯直接沉积在器件衬底上量产的电解质门控场效应晶体管(FET)。由此形成的无聚合物石墨烯通道可在运行时提供均匀电场,从而实现多功能且可重复的分子传感。


场效应分子传感器(gFET)的介绍:

GFET-PV01专为传感应用开发而设计,其环氧树脂封装层可在传感器修饰和测试过程中实现一致的液体处理与定位。此外,三个通道的位置布局便于对每个石墨烯通道进行可靠的手动或自动化功能化,以支持多重检测和/或内部参照。该设备兼容市面上现有的数据采集系统。




场效应分子传感器 (gFET)的特点:

GFET通道数量:3

狄拉克点(mV):500mV ±200mV

跨导(mS•sq/V):> 1.5

通道电阻(kΩ):< 3

通道尺寸(µm):100 x 100

场效应分子传感器(gFET)


场效应分子传感器 (gFET)的应用领域:


• 用于核酸、蛋白质、气体、离子及小分子的生物与化学传感

• 具备多组学与多重检测能力

• 适用于环境监测、食品饮料、农业、医疗健康等领域


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