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高精度变温霍尔效应测试仪(70-730K)

简要描述:高精度变温霍尔效应测试仪(70-730K)利用范德堡测量技术对半导体材料的电阻率、载流子浓度、磁致电阻率、霍尔系数、电子迁移率等进行测量,用来表征和了解材料的物理性质。

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  • 更新时间:2017-12-23
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高精度变温霍尔效应测试仪(70-730K)

变温霍尔效应测量仪是利用范德堡测量技术对半导体材料的电阻率、载流子浓度、磁致电阻率、霍尔系数、电子迁移率等进行测量,用来表征和了解材料的物理性质。昊量光电的宽带变温霍尔效应测量仪主要可包括霍尔效应测量、变温恒温器、外加磁场三部分。

高精度变温霍尔效应测试仪(70-730K)

变温霍尔效应测量仪利用不同范德堡方法可以在不同温度下对材料的电阻率、载流子浓度、磁致电阻率、霍尔系数、电子迁移率进行测量。该设备采用焦耳-汤姆逊平台可以为样品提供70-730K广泛的变温范围,利用温度控制器使展现卓越的温度稳定性和重复性,控温精度可达到±0.1K,分辨率可达到0.01K,并对温度变化有极快的响应速度。采用zui大可提供1.4T的电磁铁施加外磁场,并可根据需要选配不同的电磁铁。配备霍尔测量控制器,样品电流范围为10-12-0.01 A,样品电压可达到10-6-2.4V。采用灵活的模块化设计,可以根据需要实验和经费需要组建理想的系统。

 

 

变温霍尔效应测量系统、霍尔效应测量仪,宽温霍尔效应测量仪,宽带变温霍尔效应测量,高精度霍尔效应测量仪

 

昊量光电推出的变温霍尔测量系统采用独特的焦耳-汤姆逊平台对样品进行高低温处理,无需液体冷冻剂处理。当真空腔至少保持在8 mTorr时,可以提供以下温度范围,室温,70K-580K,80K-580K,70K-730K,80K-730K,室温-730K,六种不同的温度区间。配备AUK2000温度控制器,可提供精确的温度控制与测量并且拥有极高的稳定性和重复性。该系统控温精度可达到±0.1K,分辨率可达到±0.01K,对温度的响应速度可达到1K/s

 

 

霍尔效应测量仪采用范德堡方法对霍尔效应和电阻率进行测量,四个探针连接样品,其中两个输入电流,其余两个测量电压。为了方便快速的切换样品,与样品表面接触有弹簧探针和利用聚酰亚胺焊接两种方法。弹簧探针可以使待测样品与探针直接接触,无需粘贴或焊接,这有效的避免了样品在高温下测试时焊点融化的问题。而且在换样品时更加快速方便。聚酰亚胺焊接法。当样品尺寸非常小,或者有特殊几何要求的样品时采用该方法,此外利用弹簧探针无法达到优质的欧姆连接时也采用这种办法。霍尔传感器在真空腔中处在样品的下方,可以对样品所处磁场的大小进行精确的测量。

 

 

宽带变温霍尔效应测量仪采用电磁体或永磁铁提供外加磁场。并有三种不同的电磁体可供选择。电磁体可通过软件和霍尔控制器进行控制。AU-M-25是一个紧凑的低成本的永磁体,该电磁体既不需要水冷也不需要风冷。该磁体可以提供5000高斯的单向外加磁场,霍尔恒温器在两片电磁铁之间,如果需要反向磁场可以把恒温器反向插入即可。②AU-MK-50是双极电磁体,可提供变化的外加磁场,zui高可达5000高斯,并可提供反向磁场和0磁场。此外两电磁铁之间的间距可以调节。该电磁铁采用风冷,但有水冷端口如果长时间使用可采用水冷。③AU-M-150电磁铁可提供变化的外加磁场,zui高可高达14000高斯,可自由转换磁场反向,对于高磁场和长时间的使用,应利用水冷使电磁体降温。

 

 

宽带变温霍尔效应测量仪采用四点范德堡的方法测量,并通过霍尔测量控制器AUH5000来实现,AUH5000控制器是一个一体化的设备,既可以提供电流/电压源、电流/电压探测、磁场的测量和控制。该控制器可以通过USB或者RS-232与电脑连接通过软件进行上述操作。通过软件可以完成温度控制、霍尔测量等。

 

 

 

u  主要特点

  • 宽的操作温度(70-730K
  • 卓越的温度稳定性和重复性(±0.1K
  • 高外加磁场(1.4T
  • 灵活配置的模块设计,可以根据经费和实验需求组建系统
  • 低运行成本
  • 无机械、声学和电子噪声

 

u  主要应用

半导体材料(比如说Si, Ge, GaAs, AlGaAs, CdTe, and HgCdTe)、电磁材料(磁电阻器件、GMR薄膜、稀磁半导体、超导体材料)的电阻率、载流子浓度、磁致电阻率、霍尔系数、电子迁移率测量

 

u  主要参数

SPECIFICATIONS FOR THE VARIABLE TEMPERATURE HALL SYSTEM

Operating Temperature Range:

Available between 70K and 730K (Joule-Thomson Thermal Stage)

Dimensions of Vacuum Chamber:

2.5 in wide x 6.0 in long x 0.75 in high (at sample end)

Weight of the Vacuum Chamber:

16 oz (454 grams) with thermal stage mounted

Sample Mounting Surface Size:

10 mm x 12 mm

Standard Window Material:

Fused silica

Maximum Sample Weight Allowed:

No more than 5 grams

Working Distance:

12 mm

Dimension Configurations:

-Spring Loaded Probe spacing: 0.1 in, 0.2 in, 0.3 in (2.25 mm, 5 mm, 10.5 mm)

-Kapton Harness space: not applicable

Electrical Connections:

Triax connectors.

Current Source Range:

-12 to 0.01 Amps

Voltage Measurement Range:

-6 to 2.4 Volts

Resistance (or Resistivity) Range: **

Typical range is 10 -4 Ohm*cm to 10 13  Ohm*cm (dependent on sample thickness)

Carrier Concentration Range: **

Approximate range is 10 3 cm -3 to 10 19 cm -3(dependent on sample thickness )

Mobility Range: **

Approximate range is 1 cm2 /volt*sec to 107 cm2/volt*sec

Sample Thickness:

0.001-2000 micrometer

Temperature Accuracy:

< 0.5K at 80K;  + /- 0.5K between 80K and 400K; < 1.5K from 400K to 730K

Temperature Stability:

* /- 0.1K

Temperature Resolution:

0.01 K

 

 

 

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