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磁光克尔(MOKE)效应测量系统

简要描述:磁光克尔(MOKE)效应测量系统是对极向克尔效应和纵向克尔效应克尔偏转角精确测量的设备,使得该设备成为研究磁性薄膜磁特性的Z理想的测量工具。广泛的应用于磁性纳米技术、磁性薄膜等磁学领域。

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  • 更新时间:2017-12-23
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磁光克尔(MOKE)效应测量系统

当一束线偏振光照被磁性介质反射后,反射光的偏振面相对于入射光的偏振面有一个小的角度偏转(克尔旋转角),这一现象被称为磁光克尔效应。后来这一效应被用来材料磁特性的研究。磁光克尔效应测量系统就是一套精确测量克尔旋转角的设备。磁光克尔效应测量系统是对极向克尔效应和纵向克尔效应克尔偏转角精确测量的设备,使得该设备成为研究磁性薄膜磁特性的zui理想的测量工具。广泛的应用于磁性纳米技术、磁性薄膜等磁学领域。

 

磁光克尔效应测量系统以激光作为光源,由于样品磁光克尔效应的磁性信号主要来自于光斑照射的区域,因此磁光克尔效应测量系统具有良好的局域性,可以实现在微米区域内材料磁特性的研究。此外以偏振激光束作为“探针”,因此对样品不会造成任何损伤,实现对样品的无损测量,这对于需要做多次测量的样品是非常有利的。

 

磁光克尔效应测量系统具有极高的灵敏度,对克尔旋转角的探测精度可达到±0.001度。这一点使该设备在磁性薄膜磁特性的研究中具有重要的地位。利用铁芯电磁特产生外加磁场,可以提供高达25KOe的外加磁场。

磁光克尔(MOKE)效应测量系统

磁光克尔效应测量系统、磁性测量系统、MOKE system、微米区域克尔磁光效应测量系统、磁滞回线测量装置

 

上海昊量光电设备有限公司的磁光克尔测量系统主要可分为以下三类:

 

①  极向测量磁光克尔效应测量设备(MOKE磁滞回线测量系统)

代表产品是BH-810系列。BH-810CPC25WF12磁光克尔效应(MOKE)测量设备是其中的一款,主要是对12英寸的垂直磁记录介质磁特性的测量。可以精确的探测分析每个探测点的磁滞回线,该产品应用408nm的固体激光器,光斑直径为1mm,外加磁场可高达25KOe。

 

 

<strong><strong><strong><strong>磁光克尔(MOKE)效应测量系统</strong></strong></strong></strong>

 

 

<strong><strong><strong><strong>磁光克尔(MOKE)效应测量系统</strong></strong></strong></strong>

 

 

②  向测量磁光克尔效应测量设备(MOKE磁滞回线测量系统)

代表产品BH-618系列。BH-618SK-CA12是一款自动测量晶圆磁特性和各向异性的磁光克尔测量系统。可以对12寸的晶圆进行多达400个不同点的磁滞回线的测量,并且探测结果以成像的形式显示。

 

 

 

 

③   微区域磁光克尔效应测量系统(m-kerr system)(极向+纵向,MOKE磁滞回线测量系统

代表产品为BH-920系列。与前两款产品相比, BH-920系列拥有更小的激光光斑,可以对微米区域内的磁特性进行研究。BH-P920-NH是可进行极向的微区域磁光克尔效应测量系统,该设备具有极高的灵敏度可达到0.001°。与BH-P920-NH相比BH-PI920不但具相同的探测灵敏度并且兼具进行极向和纵向测量。

 

 

 

 

磁光克尔(MOKE)效应测量系统

 

 

u  主要特点

  • 高性能
  • 成本低
  • 高灵敏度(0.001°)
  • 高稳定性
  • 高外加磁场(25KOe

 

 

u  主要应用

磁性纳米技术、磁性薄膜,磁性材料等磁学领域

 

 

u  测量项目

磁滞回线

X轴:外加磁场强度 H

Y轴:克尔旋转角  qk

通过磁滞回线可获得的参数

矫顽力 Hc

各向异性场 Hk

内禀矫顽力 Hn

饱和磁场强度 Hs

剩余磁化强度 qr

饱和磁化强度 qs

 

 

u  产品主要参数:

产品型号

参数

BH-PI920系列

BH-P920-NH

BH-PI920

BH-810CPC25WF12

BH-618SK-CA12

产品特点

微区域测量系统可满足纵向/极向测量

极向微区域克尔测量装置,具有高灵敏度

微区域测量系统可满足纵向/极向测量,具有较高的灵敏度

极向磁光克尔效应测量,对PMR薄膜晶圆的磁特性测量

纵向磁光克尔测量系统,可进行多点磁滞回线的测量

激光光源

半导体激光器(405nm)

 

 

半导体激光器408nm

半导体激光器(405nm

光斑直径

纵向测量

约 5mm [1/e2]

1-2mm

2-3mm

1mm

1´2mm

极向测量

约 2mm [1/e2]

探测灵敏度

± 0.005°

±0.001°

±0.001°

± 0.005°

± 0.005°

探测范围

± 1°

 

 

 

 

外加磁场强度

极向磁体

  >±10kOe

>±10kOe

极向磁场

>±1.5T

>±25kOe

>±0.2T

面内磁场

>±10kOe

面内磁场

>±1T

可测样品大小

5´5´1tmm~10´10´1tmm

 

5´5~10´10mm

t0.5~1mm

12inch wafer

12inch wafer

 

 

 

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