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光弹调制器

光弹调制器

简要描述:

Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的(同时也是世界唯一的一家)(photoelastic modulators)生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变,调制速率为20~100kHz。

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光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的(同时也是世界唯一的一家)光弹调制器(photoelastic modulators)生产商。Hinds Instruments公司的PEM可以控制光束的偏振状态的改变,调制速率为20~100kHz。(PEM)的作用就像一个“动态的波片”,可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差,从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即,(photoelastic modulators)通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化,同时(PEM)还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。

对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括:

 

?    非常大通光孔径(15到30mm,标准),同时保持很高的调制器频率

?    超大接受角度(市场角)范围(+/- 20°)

?    波长覆盖范围大(170nm~10um,FIR~THZ)

?    高损伤阈值

?    可精确控制相位延迟

 

美国Hinds Instruments, Inc公司PEM电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够zui小化光学系统单元的尺寸,同样也使得光学头与磁场或真空兼容(当这些有需要的时候)。

 

需要进一步了解关于原理,请点击这里

 

应用举例:

在偏振方向调制中的应用介绍.pdf

 

Hinds Instruments主要分为两个系列:

 

Series I 系列使用矩形光学原件,波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。

Series II系列使用对称或者八角形的光学原件,波长覆盖可见和红外(到中红外)频谱区域。特殊的型号可用于紫外。

 

Hinds Instruments公司的光学头使用不同的光学材料,材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。

 

 

TABLE 1

 

 

SPECTRAL REGION

SERIES

MATERIAL

Vacuum UV, UV

I

Lithium Fluoride

Vacuum UV to mid-IR

I,II

Calcium Fluoride

Vacuum UV to near-IR

I,II

Fused Silica

Mid-visible to mid-IR

II

Zinc Selenide

Near- to mid-IR

II

Silicon

 

 

相对于Series II八角形光学元件,Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下,相位延迟量更少。在红外波段,这是一个缺点,但是在紫外波段,尤其是真空紫外,这则变成为了一个很大优点。

 

八角形(Series II)光学元件在给定的厚度下更加的有效率,因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量(例如:深紫外)或许会造成一些问题。

 

 

可选选项(规格和价格会因为客户需要而改变,详情询问昊量光电的工程师)

 

  • ?    增透膜,Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上,窄带宽和宽带宽镀膜都可得。
  • ?    请昊量光电关于频谱范围和透射率要求
  • ?    无干涉选项,Model NIO。这一项用于偏转光束路径,因此消除了调制器干涉
  • ?    特殊频率,Model SFO。标准的调制头配以特殊频率
  • ?    特殊光学头/电学头电缆,Model SLHH
  • ?    特殊调制头附件,Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状
  • ?    真空操作。PEM可用于真空环境,详情请询问Hinds
  •            磁场兼容选项,Model MFC。光学头不含任何磁铁材料,用于强磁场中

    基本指标

 

Model

Optical Material

Nominal

Frequency

Retardation Range

Useful

Aperture1

Quarter Wave

Half Wave

I/FS50

Fused Silica

50 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

16mm

I/FS20

Fused Silica

20 KHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

22mm

I/CF50

Calcium Fluoride

50 kHz

130nm - 2μm

130nm - 1μm

16mm

II/FS20A

Fused Silica

20 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

56mm

II/FS20B

Fused Silica

20 kHz

1.6μm - 2.6μm

800nm - 2.5μm

56mm

II/FS42A

Fused Silica

42 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

27mm

II/FS42B

Fused Silica

42 kHz

1.6μm - 2.6μm

800nm - 2.5μm

27mm

II/FS47A

Fused Silica

47 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

24mm

 

II/FS47B

Fused Silica

47 kHz

1.6μm - 2.6μm

800nm - 2.5μm

24mm

II/FS84

Fused Silica

84 kHz

800nm - 2.5μm

400nm - 2.5μm

13mm

II/IS42B

Fused Silica

42 kHz

1.6μm - 3.5μm

800nm - 2.5μm

27mm

II/IS84

Fused Silica

84 kHz

800nm - 3.5μm

400nm - 1.8μm

27mm

II/CF57

Calcium Fluoride

57 kHz

2μm - 8.5μm

1μm - 5.5μm

23mm

II/ZS37

Zinc Selenide

37 kHz

2μm - 18μm

1μm - 9μm

19mm

II/ZS50

Zinc Selenide

50 kHz

2μm - 18μm

1μm - 10μm

14mm

II/SI40

Silicon

40 kHz

FIR - THz

FIR - THz

36mm

II/SI50

Silicon

50 KHz

FIR - THz

FIR - THz

29mm

 

美国Hinds Instruments, Inc公司相关文献请参考:http://www.auniontech。。com/n/document/v_Paper_of_Hinds.html

 

光弹调制式反射差分光谱仪的理论分析.pdf

在偏振方向调制中的应用.pdf

应用的Mueller矩阵分析.pdf

式多通道反射差分光谱技术.pdf

定标新方法.pdf

光弹调制差分反射分析系统的建立与应用.pdf

使用测量D-丙氨酸单晶低温变温光学性质的研究.pdf

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