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高速InGaAs光电二极管FD-100系列

简要描述:Fermionics FD100 系列为 100 μm 有源区 InGaAs PIN 光电二极管,面向 1310/1550 nm 中高速通信与测试,以大光斑耦合、低暗电流、亚纳秒响应与多样封装为核心,适合 10G/25G/40G ROSA、高速光模块与仪器接收端,兼顾耦合容差与成本。高速InGaAs光电二极管FD-100系列

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  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2025-12-25
  • 访  问  量:6
详细介绍
品牌昊量光电产地类别进口
应用领域综合

高速InGaAs光电二极管FD-100系列


fermionics是一家独立的InGaAs光电二极管制造商,用于光通信、测试仪器、传感等应用。在费米公司,我们专注于质量、及时交付和客户设计要求,致力于满足多样化客户群的需求。该公司于1991年在加利福尼亚州成立并注册成立。


Fermionics FD100 系列为 100 μm 有源区 InGaAs PIN 光电二极管,面向 1310/1550 nm 中高速通信与测试,以大光斑耦合、低暗电流、亚纳秒响应与多样封装为核心,适合 10G/25G/40G ROSA、高速光模块与仪器接收端,兼顾耦合容差与成本。


(FD100W图片)


高速InGaAs光电二极管FD-100系列核心原理与结构:


  • 平面钝化 PIN,宽带增透膜,响应 900–2600 nm,典型 1310/1550 nm。

  • 反向偏置耗尽层吸收光子,低电容支撑 GHz 级带宽与亚纳秒上升 / 下降。

  • 速度由结电容与负载决定,50 μm 较 80 μm 更小,带宽更高、耦合更精准。


高速InGaAs光电二极管 FD-100系列性能优势:


  • 超高速低噪声:0.25–0.4 pF、100–200 ps,适合 40G/100G/200G 与高速测试。

  • 低回损可选:尾纤端面斜切(如 8°),回损≥40 dB,减少系统反射噪声。

  • 灵活集成:TO、陶瓷衬底、表面贴装、尾纤 / 连接器,适配原型到量产。

  • 工业可靠:-40 至 + 85 °C,高稳定性,适合户外与数据中心。


高速InGaAs光电二极管 FD-100系列应用场景:


  • 超高速光通信:40G/100G/200G ROSA、相干接收、数据中心 DCI,1310/1550 nm 链路。

  • 高速测试仪器:误码仪、光示波器、采样示波器、矢量网络分析仪,低噪声与亚纳秒响应。

  • 微波光子学:光生微波、光电混频、ROF 系统,低电容与高线性。

  • 传感与医疗:近红外光谱、光纤传感、激光雷达,宽波长与低暗电流。


高速InGaAs光电二极管 FD-100系列选型建议:


  • 超高速通信:选 FD50S8‑F/F8,尾纤 / 连接器耦合,低回损,适配 ROSA 与相干接收。

  • 测试仪器:FD50W/FD50L,平窗 / 球透镜,易与准直光 / 自由空间系统对接。

  • 高频 PCB:FD50S2/S3,陶瓷衬底,低热阻、低寄生,支持表面贴装。

  • 低回损:指定尾纤端面斜切(如 8°),回损≥40 dB,减少系统抖动与误码。


FD100系列产品类型:



FD100W100微米有源直径InGaAs光电二极管安装在TO18接口内,配有平坦的AR涂层窗口
FD100L100微米有源直径InGaAs光电二极管安装在TO46接口内,带球形透镜
FD100S2100微米活性直径InGaAs光电二极管安装在S2型氧化铝陶瓷子支架上
FD100S3100微米活性直径InGaAs光电二极管安装在S3型氧化铝陶瓷子支架上
FD100FC100微米有源直径InGaAs光电二极管,置于TO46插头,带对焦镜头,校准于带2孔法兰的FC连接器插座内
FD100FCB100微米有源直径InGaAs光电二极管,置于TO46接口,带对焦镜头,并安装在PCB/面板安装的FC连接器插座中
FD100SC100微米有源直径InGaAs光电二极管,置于TO46插头,带对焦镜头,并对齐于PCB/面板式SC连接器插座中
FD100ST100微米主动直径InGaAs光电二极管,置于TO46头段,带对焦镜头,校准于Radiall ST插座
FD100F-(光纤类型/连接器)TO46轴向封装尾线组件中的100微米活性直径InGaAs光电二极管。可选定制光纤和连接器终端。
FD100F8-(光纤类型/连接器)TO46轴向封装尾线组件中的100微米活性直径InGaAs光电二极管。内部纤维抛光角度为8°,以实现低背反射。提供定制单模光纤和连接器终端。



FD100 芯片系列规格表:



ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T=25°C)
PARAMETERRATINGUNITS
Storage Temperature- 40 to +100
Operating Temperature- 40 to +85
Forward Current5

mA

Reverse Current0.5mA
Reverse Voltage30V



Optical and Electrical Characteristics (T = 25°C)
ParameterTest ConditionsMinTypMaxUnits
Responsivity(R)λ = 1300 nm
λ = 1550 nm
0.80
0.85
0.90
0.95

A/W
dark current(Id)Vr = 5V  
0.53nA
Rise / Fall Time(Tr / Tf)Vr = 5V  
0.30.7ns
Capacitance(C)Vr = 5V  
1.11.5pF


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