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高速InGaAs光电二极管FD-150系列

简要描述:Fermionics FD150 系列为 150 μm 有源区 InGaAs PIN 光电二极管,面向 1310/1550 nm 中高速通信与测试,以超大光斑耦合、低暗电流、亚纳秒响应与多样封装为核心,适合 10G/25G/40G ROSA、多模光模块与仪器接收端,兼顾耦合容差与成本。高速InGaAs光电二极管FD-150系列

  • 产品型号:
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2025-12-25
  • 访  问  量:7
详细介绍
品牌昊量光电产地类别进口
应用领域综合

高速InGaAs光电二极管FD-150系列


fermionics是一家独立的InGaAs光电二极管制造商,用于光通信、测试仪器、传感等应用。在费米公司,我们专注于质量、及时交付和客户设计要求,致力于满足多样化客户群的需求。该公司于1991年在加利福尼亚州成立并注册成立。


Fermionics FD150 系列为 150 μm 有源区 InGaAs PIN 光电二极管,面向 1310/1550 nm 中高速通信与测试,以超大光斑耦合、低暗电流、亚纳秒响应与多样封装为核心,适合 10G/25G/40G ROSA、多模光模块与仪器接收端,兼顾耦合容差与成本。


(FD150FC图片)


高速InGaAs光电二极管FD-150系列核心原理与结构:


  • 平面钝化 PIN,宽带隙窗口与吸收层匹配近红外,降低表面复合与暗电流。

  • 反向偏置下耗尽层吸收光子产生光电流;结电容 1.5–2.0 pF,支撑 GHz 级带宽。

  • 响应 900–2600 nm,典型 1300/1550 nm;3 dB 带宽由负载与结电容决定。

  • 150 μm 有源区较 50/80/100 μm 更大,耦合容差更高,适合多模或大光斑场景。


高速InGaAs光电二极管 FD-150系列性能优势:


  • 超高耦合容差:150 μm 有源区,适配多模或大光斑,降低对准难度。

  • 低噪声与高速:暗电流 0.5–3 nA,上升时间 0.3–1.0 ns,适合 10G/25G/40G 系统。

  • 低回损可选:尾纤端面斜切(如 8°),回损≥40 dB,减少系统反射噪声。

  • 灵活集成:TO、陶瓷衬底、表面贴装、光纤耦合,适配原型到量产。

  • 工业可靠:-40 至 + 85 °C,高稳定性,适合户外与数据中心。


高速InGaAs光电二极管 FD-150系列应用场景:


  • 中高速通信:10G/25G/40G ROSA、多模光模块、数据中心互连,1310/1550 nm 链路。

  • 测试仪器:误码仪、光示波器、光谱分析仪接收端,低噪声与亚纳秒响应。

  • 传感与医疗:近红外光谱、光纤传感、激光雷达接收,宽波长与低暗电流。

  • 射频 / 微波光子学:光生微波、光电混频、ROF 系统,低电容与高线性。


高速InGaAs光电二极管 FD-150系列选型建议:


  • 中高速通信:选 FD150FC/FCB/F8,尾纤 / FC 耦合,低回损,适配 ROSA 与多模模块。

  • 测试仪器:FD150W/FD150L,平窗 / 球透镜,易与准直光 / 自由空间系统对接。

  • 高频 PCB:FD150S2/S3/S8‑F8,陶瓷衬底,低热阻、低寄生,支持表面贴装。

  • 低回损:指定尾纤端面斜切(如 8°),回损≥40 dB,减少系统抖动与误码。


FD150系列产品参数:



FD150W150微米有源直径InGaAs光电二极管安装在TO18接口上,配有平坦的AR涂层窗
FD150L150微米有源直径InGaAs光电二极管安装在TO46接口内,带球形透镜
FD150S2150微米活性直径InGaAs光电二极管安装在S2型氧化铝陶瓷子支架上
FD150S3150微米活性直径InGaAs光电二极管安装在S3型氧化铝陶瓷子支架上
FD150FC150微米活性直径InGaAs光电二极管,置于TO46接口,带对焦镜头,定位于带2孔法兰的FC连接器插座内
FD150FCB150微米有源直径InGaAs光电二极管,置于TO46接口及对焦镜头内,并对齐于PCB/面板安装的FC连接器插座中
FD150SC150微米有源直径InGaAs光电二极管,置于TO46接口,带对焦镜头,校准于PCB/面板式SC连接器插座内
FD150ST150微米主动直径InGaAs光电二极管,置于TO46头段带对焦镜头,校准于Radiall ST插座
FD150S8-F-(光纤类型/连接器)150微米活性直径InGaAs光电二极管,安装在水平安装的S8陶瓷封装尾线组件上。可选定制光纤和连接器终端。
FD150S8-F8-(光纤类型/连接器)150微米活性直径InGaAs光电二极管,安装在水平安装的S8陶瓷封装尾线组件上。内部纤维抛光角度为8°,以实现低背反射。提供定制单模光纤和连接器终端。
FD150F-(光纤类型/连接器)150微米活性直径InGaAs光电二极管,采用TO46轴向封装尾线组件。可选定制光纤和连接器终端。
FD150F8-(光纤类型/连接器)150微米活性直径InGaAs光电二极管,采用TO46轴向封装尾线组件。内部纤维抛光角度为8°,以实现低背反射。提供定制单模光纤和连接器终端。



FD150 芯片系列规格表:



ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T=25°C)
PARAMETERRATINGUNITS
Storage Temperature- 40 to +100
Operating Temperature- 40 to +85
Forward Current5

mA

Reverse Current1mA
Reverse Voltage25V



Optical and Electrical Characteristics (T = 25°C)
ParameterTest ConditionsMinTypMaxUnits
Responsivity(R)λ = 1300 nm
λ = 1550 nm
0.80
0.85
0.90
0.95

A/W
dark current(Id)Vr = 5V  
0.53nA
Rise / Fall Time(Tr / Tf)Vr = 5V  
0.31ns
Capacitance(C)Vr = 5V  
1.52pF



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