| 品牌 | 昊量光电 | 产地类别 | 进口 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 综合 |
像素阵列
昊量光电推出的Luxium 像素阵列(Pixellated Arrays)是面向辐射探测的线性 / 二维闪烁晶体阵列,核心优势在于低串扰、高像素一致性与材料适配灵活性,适配 PET/CT、工业安检、核医学成像等高精度辐射探测场景,可与 SiPM/PMT/光电二极管无缝集成。
可以提供像素化阵列组件,其中包括诸如 LYSO、CdW04、CsI(Tl) 和 BGO 之类的晶体,或者诸如发光塑料之类的其他材料。提供多种设计选项和反射材料,以优化阵列性能,满足您的应用需求。

二维闪烁晶体阵列(像素阵列)核心技术优势:
低串扰光学设计:采用复合反射层(金属 + 白色环氧)与精准像素分割工艺,像素间串扰 < 5%,确保多像素同步探测时的信号独立性。
高一致性制造工艺:晶体切割与研磨精度达 ±0.01mm,像素间光输出均匀性 ±10%,批次间一致性 ±10%,适配大规模阵列拼接应用。
材料适配灵活性:支持 CsI (Tl)、LYSO、BGO、CdWO₄等主流闪烁晶体,可根据探测能量(keV-MeV)、衰减时间(36ns-14μs)与余晖特性选择蕞优材料。
环境适配:晶体阵列可封装为 IP68 防护等级,耐受 - 40℃~+85℃温度范围,适配石油测井、航空航天等恶劣工况。
在像素尺寸、像素数量、像素间隔材料(包括反射材料和/或辐射屏障材料)以及晶体表面处理方式等方面,有多种设计选择可供选择。
线性阵列组件:(单行像素)——线性阵列组件通常与像素化光电二极管配合使用,常用于安全类应用中,常见的是行李扫描仪、货物检查以及其他非破坏性检测。在医疗应用中,诸如 LYSO 这样的晶体则用于骨矿物质密度测定仪中。
二维阵列组件(以 X-Y 矩阵形式排列的像素)——二维阵列通常与像素化光电二极管、位置敏感光电倍增管(PSPMT)和硅光电倍增管(SiPM)配合使用,其蕞常见的应用领域是医疗成像扫描仪(PET、SPECT、CT)、无损检测与检查。
二维闪烁晶体阵列(像素阵列)可用像素尺寸:
| Minimum Discrete Pixel Sizes Available in Crystal Scintillators | |||
| Material | Minimum Pixel Sizes* | Comments | |
| Linear (mm) | 2D (mm) | ||
| CsI(Tl) | 0.3 | 0.5 | |
| CdWO4 | 0.3 | 1.0 | Cleavage Plane |
| BGO | 0.3 | 0.3 | |
| LYSO | 0.8 | 0.8 | Min. Untested |
| *Guidelines, not hard numbers | |||
分隔器/反射器:
像素的几何形状、反射器的厚度、所使用的闪烁体材料以及其他因素都会影响每个阵列设计所获得的反射率。阵列反射器材料按反射率从高到低的顺序排列。
| Separator Types and Thicknesses in Order of Decreasing Reflectivity | ||
| Material | Thickness Range | Approximate Relative Reflectivity |
| White Powder (e.g. TiO2, MgO) | 0.25 mm and up | 100% |
| Teflon Sheet | 0.15 mm - 0.50 mm | 98% |
| White Reflector Paint | 0.04 mm - 0.10 mm | 96% |
| White Plastic | 0.05 mm and up | 95% |
| White Epoxy | 0.10 mm - 0.75 mm | 94% |
| Composites | 0.10 mm and up | 94% |
| Aluminum/Epoxy | 0.05 mm - 0-.1 mm | 75% |
| Metals (Pb, Ta) / Epoxy | 0.05 mm and up | 65% |
阵列闪烁体特性:
| Material | CsI(Tl) | CdWO4 | BGO | LYSO |
| afterglow | 0.5-5% @6ms | 0.1% @3ms | 0.005% @3ms | <0.1% @6ms |
| Primary Decay Time (ns) | 1000 | 14000 | 300 | 36 |
| Wavelength of Maximum Emission [nm] | 550 | 475 | 480 | 420 |
| Relative Rad Hardness | Medium | High | High | High |
| Relative Light Output [photons/keV] | 54 | 13 | 9 | 32 |
| Hygroscopic | slightly | no | no | no |
| Solubility in H2O, g/100g@25oC | 85.5 | 0.5 | / | / |
| Density, g/cm3 | 4.51 | 8.0 | 7.13 | 7.10 |
低余辉线性 CsI(Tl) 分段阵列:
CsI(Tl) 传感器阵列制造技术的进展使得后辉光现象得到减少,光输出得以提高,且后辉光的均匀性也有所改善。单能量、双能量、固定框架、旋转机架以及基于 CsI(Tl) 的各种阵列均可应用于众多行业的高质量 X 射线成像应用中,包括(安全行李扫描、货物扫描、医疗、非破坏性工业检测等)。
| Array Performance (Typical) | |
| Light output uniformity | ±10% within an array (requires matchingphotodiode) |
| Light output array to array | ±10% |
| Afterglow | 5000ppm @100ms (initial test) ≤2500ppm (after burn-in) |
| Afterglow uniformity | ±10% within an array |
| Array Design Capabilities | |
| Number of channels (typical) | 8-64 |
| Minimum pitch | 0.5mm |
| X-Ray thickness | 50mm Max |
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