而我司代理的Nanobase的光电流成像系统,在显微共聚焦拉曼的基础上,可以方便的扩展微区光电成像功能,具有较高分辨率(光斑尺寸~2.3um),较大的扫描范围(200um*200um),振镜扫描的光点控制方式,可以实现同一点的拉曼/光电流/荧光/荧光寿命测量,为研究团队提供强有力的实验数据。
韩国成均馆大学的 Si Young Lee教授在他的研究Large Work Function Modulation of Monolayer MoS2 by Ambient Gases中使用这套系统,研究了MoS2器件在不同环境气体下的工作效率,并终制出部分钝化的新型半导体,其理想因子几乎为1,具有的电可逆性,并且通过光电流成像系统测得耗尽层宽度为~200nm,比体半导体窄了极多。相关研究成果发表在ACS NANO杂志上(ACS Nano 2016,10,6,6100-6107)
西班牙IMDEA-nanocientia的Andres Castellanos-Gomez博士研究小组利用类似的光电流成像系统,研究了在零偏压下基于MoS2二维材料同质p-n结器件中光电流的分布情况。结果表明,光照下MoS2同质p-n结中光电流的产生主要来源于p-n结区。具体而言,掺杂类型不同的MoS2薄片中能带失配产生内建电场,当光辐射到2片MoS2薄片的重叠区域(结区)时,光生载流子在内建电场的作用下分离进而产生光电流。而当光仅仅辐射在单个MoS2薄片上时,光生载流子会很快复合,导致无光电流产生。特别是,作者通过光电流成像发现有效结区面积是直接测量得到的纳米薄片重叠面积的1/2左右,因此器件光电转换效率实际被低估了一倍左右。通过光电流成像的校正,器件的实际光电转换效率达到1%。相关研究成果发表在Small Methods杂志上(DOI:10.1002/smtd.201700119)上。
光电流成像系统,为研究纳米光电子器件中光生载流子的传输、分离与复合过程,以及进一步优化器件结构、提高器件光电转换效率提供了极大的帮助。
产品介绍:
1.XperRam C series
,可同时实现稳态荧光成像功能
*的单振镜扫描技术,具有优异的扫描精度和重复性
激光扫描分辨率<0.02um,重复性小于0.1um
体相全息光栅
透过率>90%,比反射式光栅告30%,信号传输效率更高
扫描速度快,扫描范围大,200um*200um范围高速成像
2.XperRam S series
的分辨率,可同时实现稳态荧光成像功能
光谱仪焦长200mm
像素尺寸16um/pixel
极限分辨率FWHM 2.5cm-1
可扩展光电流成像/TCSPC荧光寿命成像/电感耦合等离子体发射光谱模块
电化学等原位实验定制化服务,激发光光纤接口
3.荧光寿命成像模块
测量范围100ps-10us
时间分辨率<50ps
探测效率高达49%
死时间<77ns
激发光波长 266nm-1990nm
脉宽6ns,重复频率31.15KHZ-80MHZ
4.光电流成像模块
探针台位移精度1um(X/Y),10um(Z)
探针台移动范围 13mm(X/Y).20mm(Z)
探针溢泄电流 10fA
标准选配源表 Keithley 2400, 其他源表可做适配
5.电感耦合等离子体发射光谱模块
6.激发光及信号光偏振控制模块
7.低波数拉曼模块
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